تغليف ثلاثي الأبعاد للدوائر المتكاملة يتضمن تكديس قوالب الحوسبة ويزيد تحديات الحرارة والتصنيع ونقل البيانات.
تبحث Semiconductor Engineering في سباق مراكز البيانات نحو رفوف تستهلك ما يصل إلى ميغاواط واحد، وما يفرضه ذلك من تغييرات في التبريد وتوزيع الطاقة والتصميم ثلاثي الأبعاد. ويعرض المقال مساراً بديلاً يعتمد على الحوسبة الموزعة والشرائح المتخصصة والربط البصري لتجنب تركيز هذا الحمل في رف واحد.