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L’article explique comment des moniteurs personnalisés pour les processus, appuyés par des analyses tenant compte de la conception du circuit, peuvent passer de la détection des écarts de mesure à l’inférence des facteurs à l’origine de la variation du comportement du silicium. Le texte présente l’architecture Global Variation Process Detector comme une alternative évolutive à la dépendance à une seule mesure de fréquence.