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本稿では、回路設計を考慮した分析によって支援される、プロセス向けの専用モニターが、測定値の偏差を監視する段階から、シリコンの挙動変化の背後にある要因を推定する段階へ、どのように移行できるかを説明する。本文では、単一の周波数読み取りに依存する方法に代わる、拡張可能な選択肢としてGlobal Variation Process Detectorを紹介する。