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Onto Innovationの技術資料は、SiCr膜の膜厚測定だけでは、BCDチップの抵抗器の性能に影響する構造や特性のすべての違いを明らかにできないことを説明している。同資料では、堆積の変化、特にN₂ガス流量に関連する変化を検出するため、反射率の同時計測とピコ秒超音波技術を組み合わせて使用する方法を紹介している。