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El artículo explica cómo unos monitores de proceso personalizados, respaldados por análisis que tienen en cuenta el diseño del circuito, pueden pasar de detectar desviaciones de medición a inferir los factores que subyacen a los cambios en el comportamiento del silicio. El texto presenta la arquitectura Global Variation Process Detector como una alternativa escalable a depender de una única lectura de frecuencia.