ذاكرة عالية النطاق الترددي ذُكرت ضمن DRAM، مع الإشارة إلى توسع حصتها في سوق الذاكرة.
يرى تحليل Semiconductor Engineering أن توسع أعباء الذكاء الاصطناعي لا يعتمد على قدرات الحوسبة وحدها، بل يتطلب تخزيناً أعلى كثافة وتقنيات تغليف قادرة على استيعاب شرائح NAND أرق وتراكيب أكثر ارتفاعاً. ويبرز المقال الترابط الهجين، وتكديس القوالب، ودور شركات التجميع والاختبار الخارجية كعوامل حاسمة لتحويل وعود زيادة الكثافة إلى منتجات قابلة للتصنيع.