نهج لضبط جهد العتبة يهدف إلى تحقيق توافق حراري أفضل من dipole-last في عمليات CFET.
عرضت imec وحدتين لتحسين قابلية تصنيع ترانزستورات CFET: بنية اتصال خلفي رفعت تيار القيادة وخفضت مقاومة الوصول إلى الأجهزة السفلية، وبنية بوابة تعتمد على dipole-middle لضبط جهد العتبة ضمن ميزانية حرارية ملائمة. النتائج تمثل تقدماً بحثياً، لكنها لا تثبت بعد جاهزية CFET للإنتاج التجاري واسع النطاق.