Aktuelle Berichte, Erklärungen und verbundene Technologiethemen.
imec stellte zwei Module zur Verbesserung der Fertigbarkeit von CFET-Transistoren vor: eine Rückseitenkontaktstruktur, die den Treiberstrom erhöhte und den Zugriffswiderstand zu den unteren Bauelementen senkte, sowie eine auf Dipole-Middle basierende Gate-Struktur zur Einstellung der Schwellenspannung innerhalb eines geeigneten thermischen Budgets. Die Ergebnisse stellen einen Forschungsfortschritt dar, belegen jedoch noch nicht die Bereitschaft von CFET für eine breit angelegte kommerzielle Produktion.