بنية ترانزستور ثلاثية الأبعاد تكدّس ترانزستورات nFET وpFET عموديًا داخل بنية واحدة.
عرضت imec وحدتين لتحسين قابلية تصنيع ترانزستورات CFET: بنية اتصال خلفي رفعت تيار القيادة وخفضت مقاومة الوصول إلى الأجهزة السفلية، وبنية بوابة تعتمد على dipole-middle لضبط جهد العتبة ضمن ميزانية حرارية ملائمة. النتائج تمثل تقدماً بحثياً، لكنها لا تثبت بعد جاهزية CFET للإنتاج التجاري واسع النطاق.
تستعد صناعة الرقائق للانتقال إلى ترانزستورات CFET ثلاثية الأبعاد، التي تضع ترانزستورات nFET وpFET فوق بعضها لرفع الكثافة والأداء، لكن نجاحها سيتوقف على دقة الوصلات والتحكم في العيوب والالتواء. وتتبنى Intel وTSMC وSamsung وIBM مسارات تصنيع مختلفة، مع اعتماد متزايد على المحاكاة متعددة الفيزياء والتصنيع الافتراضي.