أسلوب يوزع عناصر الدارة في مستويات متراكبة رأسياً ضمن بنية ثلاثية الأبعاد أحادية الكتلة.
يقترح باحثون من Georgia Institute of Technology وSynopsys خلية SRAM سداسية الترانزستورات بتصميم ثلاثي الأبعاد أحادي الكتلة عند عقدة 2 نانومتر، باستخدام بوابات تمرير من أكسيد الإنديوم والغاليوم في طبقات التوصيل الخلفية. ويذكر البحث خفض المساحة بنسبة 25% وتقليل زمن الكتابة بنسبة 42.2% على مستوى المصفوفة الفرعية مقارنة بخط أساس سيليكوني عالي الأداء.