ذاكرة وصول عشوائي ساكنة، وهي نوع الذاكرة الذي تستهدفه الخلية المقترحة.
يقترح باحثون من Georgia Institute of Technology وSynopsys خلية SRAM سداسية الترانزستورات بتصميم ثلاثي الأبعاد أحادي الكتلة عند عقدة 2 نانومتر، باستخدام بوابات تمرير من أكسيد الإنديوم والغاليوم في طبقات التوصيل الخلفية. ويذكر البحث خفض المساحة بنسبة 25% وتقليل زمن الكتابة بنسبة 42.2% على مستوى المصفوفة الفرعية مقارنة بخط أساس سيليكوني عالي الأداء.