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imec presentó dos módulos para mejorar la fabricabilidad de los transistores CFET: una estructura de interconexión posterior que aumentó la corriente de accionamiento y redujo la resistencia de acceso a los dispositivos inferiores, y una estructura de compuerta basada en dipole-middle para ajustar la tensión umbral dentro de un presupuesto térmico adecuado. Los resultados representan un avance de investigación, pero todavía no demuestran que CFET esté preparado para una producción comercial a gran escala.