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imec presentó dos módulos para mejorar la fabricabilidad de los transistores CFET: una estructura de interconexión posterior que aumentó la corriente de accionamiento y redujo la resistencia de acceso a los dispositivos inferiores, y una estructura de compuerta basada en dipole-middle para ajustar la tensión umbral dentro de un presupuesto térmico adecuado. Los resultados representan un avance de investigación, pero todavía no demuestran que CFET esté preparado para una producción comercial a gran escala.
La industria de los chips se prepara para la transición hacia transistores CFET tridimensionales, que colocan los transistores nFET y pFET uno sobre otro para aumentar la densidad y el rendimiento, pero su éxito dependerá de la precisión de las interconexiones y del control de los defectos y la deformación. Intel, TSMC, Samsung e IBM adoptan diferentes rutas de fabricación, con una dependencia creciente de la simulación multifísica y la fabricación virtual.