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Georgia Institute of Technology와 Synopsys의 연구진은 2나노미터 노드에서 단일 모놀리식 3차원 설계를 적용한 6트랜지스터 SRAM 셀을 제안했다. 이 설계는 후공정 배선층에서 인듐-갈륨 산화물 패스 게이트를 사용한다. 연구는 고성능 실리콘 기준선과 비교해 면적을 25% 줄이고, 서브어레이 수준에서 쓰기 시간을 42.2% 단축했다고 밝혔다.