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Georgia Institute of Technology와 Synopsys의 연구진은 2나노미터 노드에서 단일 모놀리식 3차원 설계를 적용한 6트랜지스터 SRAM 셀을 제안했다. 이 설계는 후공정 배선층에서 인듐-갈륨 산화물 패스 게이트를 사용한다. 연구는 고성능 실리콘 기준선과 비교해 면적을 25% 줄이고, 서브어레이 수준에서 쓰기 시간을 42.2% 단축했다고 밝혔다.
Georgia Institute of Technology의 연구 논문이 Mixture of Experts 구조 기반 언어 모델 훈련에 사용되는 대규모 광 연결에서 반복적인 열 튜닝 작업이 미치는 영향을 분석한다. 공개된 초록에 따르면, 연구된 시나리오에서 정체 구간을 제거하자 Mixtral 8x7B 훈련이 2.7배 빨라졌다.