Термины

Intrinsic Polarization Superjunction

Следите за последними материалами, объяснениями и связанными технологическими историями.

Последние материалы

CN
Три исследования продвигают GaN к более высокому напряжению, меньшему сопротивлению и лучшему охлаждению

Три исследования продвигают GaN к более высокому напряжению, меньшему сопротивлению и лучшему охлаждению

Недавние исследования рассматривают три направления улучшения силовой электроники и систем связи на основе нитрида галлия: транзистор, выдерживающий почти 4 киловольта, низкоомный p-GaN-контакт и интеграцию транзисторов GaN в алмазный слой для отвода тепла.