Следите за последними материалами, объяснениями и связанными технологическими историями.
Недавние исследования рассматривают три направления улучшения силовой электроники и систем связи на основе нитрида галлия: транзистор, выдерживающий почти 4 киловольта, низкоомный p-GaN-контакт и интеграцию транзисторов GaN в алмазный слой для отвода тепла.