Следите за последними материалами, объяснениями и связанными технологическими историями.
Недавние исследования рассматривают три направления улучшения силовой электроники и систем связи на основе нитрида галлия: транзистор, выдерживающий почти 4 киловольта, низкоомный p-GaN-контакт и интеграцию транзисторов GaN в алмазный слой для отвода тепла.
Der Engpass in Rechenzentren für künstliche Intelligenz verlagert sich von der reinen Beschleunigerleistung auf die gesamte Energieumwandlungskette – vom mittelspannungsseitigen Wechselstromnetz bis zu den Versorgungsschienen mit weniger als einem Volt innerhalb der Chips. Die 800-VDC-Architektur sowie Festkörpertransformatoren, SiC- und GaN-Materialien und PMIC-Schaltungen zeichnen sich als Weg zur Reduzierung von Umwandlungsstufen, Wärmeverlusten und Kupferverbrauch ab, stellen jedoch neue Anforderungen an Sicherheit, Design und Betrieb.