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Georgia Institute of Technology和Synopsys的研究人员提出了一种面向2纳米节点的单片三维六晶体管SRAM单元，采用位于背端互连层中的铟镓氧化物传输栅。该研究称，与高性能硅基基线相比，在子阵列级别可实现25%的面积缩减和42.2%的写入时间缩短。