وحدة ذاكرة DDR5 بسعة 512 غيغابايت للخوادم تعتمد على تكديس قوالب DRAM رأسياً وربطها باستخدام TSV.
تكشف مراجعة Semiconductor Engineering الأسبوعية عن تزامن عدة تحولات في صناعة الرقائق: صفقات الذاكرة، توسع البنية التحتية للذكاء الاصطناعي، ارتفاع كلفة تصميم العقد المتقدمة، وصعود موردي المعدات الصينيين. كما تُظهر التطورات أن فجوات التصنيع والتغليف والطاقة والأمن لا تزال تحدد قدرة الأسواق على الاستفادة من نمو الطلب على الذكاء الاصطناعي.