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Leistungselektronik auf Galliumnitrid-Basis

Bereich der Leistungselektronik und Kommunikation, in dem Galliumnitrid eingesetzt wird, um Spannungsfestigkeit, Widerstand und Wärmemanagement zu verbessern.

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Drei Forschungsarbeiten treiben GaN zu höherer Spannung, geringerem Widerstand und besserer Kühlung

Drei Forschungsarbeiten treiben GaN zu höherer Spannung, geringerem Widerstand und besserer Kühlung

Aktuelle Forschungsarbeiten zeigen drei Wege zur Verbesserung von Leistungselektronik und Kommunikation auf Basis von Galliumnitrid: einen Transistor, der nahezu 4 Kilovolt aushält, einen p-GaN-Kontakt mit niedrigem Widerstand und die Integration von GaN-Transistoren in eine Diamantschicht zur Wärmeableitung.