Campo de la electrónica de potencia y las comunicaciones que utiliza nitruro de galio para mejorar la tolerancia al voltaje, la resistencia y la gestión térmica.
Investigaciones recientes presentan tres vías para mejorar la electrónica de potencia y las comunicaciones basadas en nitruro de galio: un transistor que soporta cerca de 4 kilovoltios, un contacto p-GaN de baja resistencia y la integración de transistores de GaN dentro de una capa de diamante para disipar el calor.