Begriffe

p-GaN Contact Resistance

Aktuelle Berichte, Erklärungen und verbundene Technologiethemen.

Neueste Berichte

CN
Drei Forschungsarbeiten treiben GaN zu höherer Spannung, geringerem Widerstand und besserer Kühlung

Drei Forschungsarbeiten treiben GaN zu höherer Spannung, geringerem Widerstand und besserer Kühlung

Aktuelle Forschungsarbeiten zeigen drei Wege zur Verbesserung von Leistungselektronik und Kommunikation auf Basis von Galliumnitrid: einen Transistor, der nahezu 4 Kilovolt aushält, einen p-GaN-Kontakt mit niedrigem Widerstand und die Integration von GaN-Transistoren in eine Diamantschicht zur Wärmeableitung.