Aktuelle Berichte, Erklärungen und verbundene Technologiethemen.
Aktuelle Forschungsarbeiten zeigen drei Wege zur Verbesserung von Leistungselektronik und Kommunikation auf Basis von Galliumnitrid: einen Transistor, der nahezu 4 Kilovolt aushält, einen p-GaN-Kontakt mit niedrigem Widerstand und die Integration von GaN-Transistoren in eine Diamantschicht zur Wärmeableitung.