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Investigaciones recientes presentan tres vías para mejorar la electrónica de potencia y las comunicaciones basadas en nitruro de galio: un transistor que soporta cerca de 4 kilovoltios, un contacto p-GaN de baja resistencia y la integración de transistores de GaN dentro de una capa de diamante para disipar el calor.
El cuello de botella en los centros de datos de inteligencia artificial está pasando de centrarse únicamente en las capacidades de los aceleradores a abarcar toda la cadena de conversión de energía, desde la red de corriente alterna de media tensión hasta las líneas de alimentación de menos de un voltio dentro de los chips. La arquitectura de 800 VCC, junto con los transformadores de estado sólido, los materiales SiC y GaN y los circuitos PMIC, emerge como una vía para reducir las etapas de conversión, las pérdidas térmicas y el consumo de cobre, pero impone nuevos requisitos de seguridad, diseño y operación.