p-GaN Contact Resistance

Tres investigaciones impulsan el GaN hacia un voltaje más alto, una resistencia menor y una mejor refrigeración

Investigaciones recientes presentan tres vías para mejorar la electrónica de potencia y las comunicaciones basadas en nitruro de galio: un transistor que soporta cerca de 4 kilovoltios, un contacto p-GaN de baja resistencia y la integración de transistores de GaN dentro de una capa de diamante para disipar el calor.