Следите за последними материалами, объяснениями и связанными технологическими историями.
В последних исследованиях университетов Сингапура, Японии и Южной Кореи представлены три технологии для микросхем: сверхтонкий углеродный слой для изоляции медных межсоединений, транзисторы SiC, работающие при температуре свыше 600 градусов Цельсия, и изолирующая структура, повышающая надёжность вертикальных транзисторов, используемых в вычислениях внутри памяти.