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В последних исследованиях университетов Сингапура, Японии и Южной Кореи представлены три технологии для микросхем: сверхтонкий углеродный слой для изоляции медных межсоединений, транзисторы SiC, работающие при температуре свыше 600 градусов Цельсия, и изолирующая структура, повышающая надёжность вертикальных транзисторов, используемых в вычислениях внутри памяти.
Der Engpass in Rechenzentren für künstliche Intelligenz verlagert sich von der reinen Beschleunigerleistung auf die gesamte Energieumwandlungskette – vom mittelspannungsseitigen Wechselstromnetz bis zu den Versorgungsschienen mit weniger als einem Volt innerhalb der Chips. Die 800-VDC-Architektur sowie Festkörpertransformatoren, SiC- und GaN-Materialien und PMIC-Schaltungen zeichnen sich als Weg zur Reduzierung von Umwandlungsstufen, Wärmeverlusten und Kupferverbrauch ab, stellen jedoch neue Anforderungen an Sicherheit, Design und Betrieb.