Термины

In-Memory Computing

Следите за последними материалами, объяснениями и связанными технологическими историями.

Последние материалы

CN
Семь исследований прокладывают новые пути в полупроводниках и интеллектуальном оборудовании

Семь исследований прокладывают новые пути в полупроводниках и интеллектуальном оборудовании

В отчёте Semiconductor Engineering рассматриваются семь научных работ, посвящённых росту двумерных полупроводников, сверхтонким затворам, литографии EUV с высокой числовой апертурой, защите ускорителей искусственного интеллекта от атак с инвертированием битов, а также интерфейсам памяти и интегрированной фотонике.

CN
Три исследования, нацеленные на узкие места в межсоединениях чипов, схемах SiC и вычислениях внутри памяти

Три исследования, нацеленные на узкие места в межсоединениях чипов, схемах SiC и вычислениях внутри памяти

В последних исследованиях университетов Сингапура, Японии и Южной Кореи представлены три технологии для микросхем: сверхтонкий углеродный слой для изоляции медных межсоединений, транзисторы SiC, работающие при температуре свыше 600 градусов Цельсия, и изолирующая структура, повышающая надёжность вертикальных транзисторов, используемых в вычислениях внутри памяти.