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Onto Innovation的一篇技术资料指出，测量SiCr薄膜厚度无法揭示所有会影响BCD芯片电阻器性能的结构和特性差异。该资料介绍了将皮秒超声波技术与同步反射率测量相结合的方法，用于监测沉积变化，尤其是与N₂气体流量相关的变化。