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imec stellte zwei Module zur Verbesserung der Fertigbarkeit von CFET-Transistoren vor: eine Rückseitenkontaktstruktur, die den Treiberstrom erhöhte und den Zugriffswiderstand zu den unteren Bauelementen senkte, sowie eine auf Dipole-Middle basierende Gate-Struktur zur Einstellung der Schwellenspannung innerhalb eines geeigneten thermischen Budgets. Die Ergebnisse stellen einen Forschungsfortschritt dar, belegen jedoch noch nicht die Bereitschaft von CFET für eine breit angelegte kommerzielle Produktion.
Die Chipindustrie bereitet sich auf den Übergang zu dreidimensionalen CFET-Transistoren vor, bei denen nFET- und pFET-Transistoren übereinander angeordnet werden, um Dichte und Leistung zu erhöhen. Der Erfolg wird jedoch von der Präzision der Verbindungen sowie der Kontrolle von Defekten und Verwindungen abhängen. Intel, TSMC, Samsung und IBM verfolgen unterschiedliche Fertigungswege, wobei die Nutzung von Multiphysik-Simulationen und virtueller Fertigung zunimmt.