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Forscher des Georgia Institute of Technology und von Synopsys schlagen eine sechstransistorige SRAM-Zelle mit einem monolithischen dreidimensionalen Design für den 2-nm-Knoten vor, die Indium-Galliumoxid-Pass-Gates in Back-End-of-Line-Schichten verwendet. Die Studie nennt eine Flächenreduzierung um 25 % und eine Verringerung der Schreibzeit um 42,2 % auf Subarray-Ebene im Vergleich zu einer leistungsstarken Silizium-Baseline.