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Forschung von Georgia Tech und Synopsys schlägt dreidimensionale SRAM-Zelle für den 2-nm-Knoten vor

Forschung von Georgia Tech und Synopsys schlägt dreidimensionale SRAM-Zelle für den 2-nm-Knoten vor

Forscher des Georgia Institute of Technology und von Synopsys schlagen eine sechstransistorige SRAM-Zelle mit einem monolithischen dreidimensionalen Design für den 2-nm-Knoten vor, die Indium-Galliumoxid-Pass-Gates in Back-End-of-Line-Schichten verwendet. Die Studie nennt eine Flächenreduzierung um 25 % und eine Verringerung der Schreibzeit um 42,2 % auf Subarray-Ebene im Vergleich zu einer leistungsstarken Silizium-Baseline.

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Studie von Georgia Tech schlägt elektrische Abstimmung vor, um das Stocken optischer Verbindungen beim Training von MoE-Modellen zu reduzieren

Studie von Georgia Tech schlägt elektrische Abstimmung vor, um das Stocken optischer Verbindungen beim Training von MoE-Modellen zu reduzieren

Eine Forschungsarbeit des Georgia Institute of Technology analysiert die Auswirkungen wiederholter thermischer Abstimmungsvorgänge in großskaligen optischen Verbindungen, die zum Training von Sprachmodellen auf Basis der Mixture-of-Experts-Architektur verwendet werden. Laut der veröffentlichten Zusammenfassung beschleunigte die Beseitigung der Stockungsphasen das Training von Mixtral 8x7B im untersuchten Szenario um das 2,7-Fache.