p-GaN Contact Resistance

Trois recherches poussent le GaN vers une tension plus élevée, une résistance moindre et un meilleur refroidissement

Des recherches récentes présentent trois voies pour améliorer l’électronique de puissance et les communications fondées sur le nitrure de gallium : un transistor supportant près de 4 kilovolts, un contact p-GaN à faible résistance et l’intégration de transistors GaN dans une couche de diamant pour dissiper la chaleur.