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窒化ガリウムを基盤とするパワーエレクトロニクスと通信の改善に向けた3つの道筋を、最新研究が示している。約4キロボルトに耐えるトランジスター、低抵抗のp-GaN接合、そして熱を放散するためにGaNトランジスターをダイヤモンド層に組み込む技術である。