المقاومة النوعية للتلامس في مناطق GaN من النوع p، والتي استهدفت الأبحاث خفضها باستخدام المغنيسيوم.
تستعرض أبحاث حديثة ثلاثة مسارات لتحسين إلكترونيات القدرة والاتصالات المعتمدة على نيتريد الغاليوم: ترانزستوراً يتحمل قرابة 4 كيلوفولت، ووصلة p-GaN منخفضة المقاومة، ودمج ترانزستورات GaN داخل طبقة ماسية لتبديد الحرارة.