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최근 연구는 질화갈륨 기반 전력 전자 및 통신 기술을 개선하는 세 가지 경로를 제시한다. 약 4킬로볼트를 견디는 트랜지스터, 저저항 p-GaN 접합, 그리고 열을 방출하기 위해 다이아몬드 층 내부에 GaN 트랜지스터를 통합하는 기술이다.