مضخم قدرة لاسلكي بقدرة 4 واط صُنع باستخدام بنية GaN مدمجة مع طبقة ماسية لتطبيقات 6G في النطاق FR3.
تستعرض أبحاث حديثة ثلاثة مسارات لتحسين إلكترونيات القدرة والاتصالات المعتمدة على نيتريد الغاليوم: ترانزستوراً يتحمل قرابة 4 كيلوفولت، ووصلة p-GaN منخفضة المقاومة، ودمج ترانزستورات GaN داخل طبقة ماسية لتبديد الحرارة.