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최근 연구는 질화갈륨 기반 전력 전자 및 통신 기술을 개선하는 세 가지 경로를 제시한다. 약 4킬로볼트를 견디는 트랜지스터, 저저항 p-GaN 접합, 그리고 열을 방출하기 위해 다이아몬드 층 내부에 GaN 트랜지스터를 통합하는 기술이다.
인공지능 데이터센터의 병목은 가속기 성능만이 아니라 중전압 교류 전력망에서 칩 내부의 1볼트 미만 전원 레일에 이르는 전체 전력 변환 체인으로 이동하고 있다. 800VDC 아키텍처는 솔리드 스테이트 변압기, SiC·GaN 소재, PMIC 회로와 함께 변환 단계와 열 손실, 구리 소비를 줄이는 경로로 부상하고 있지만, 안전·설계·운영 측면에서 새로운 요구 사항을 제기한다.