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A imec apresentou dois módulos para melhorar a fabricabilidade dos transistores CFET: uma estrutura de conexão traseira que aumentou a corrente de acionamento e reduziu a resistência de acesso aos dispositivos inferiores, e uma estrutura de porta baseada em dipole-middle para ajustar a tensão de limiar dentro de um orçamento térmico adequado. Os resultados representam um avanço de pesquisa, mas ainda não comprovam a prontidão dos CFETs para produção comercial em larga escala.