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A imec apresentou dois módulos para melhorar a fabricabilidade dos transistores CFET: uma estrutura de conexão traseira que aumentou a corrente de acionamento e reduziu a resistência de acesso aos dispositivos inferiores, e uma estrutura de porta baseada em dipole-middle para ajustar a tensão de limiar dentro de um orçamento térmico adequado. Os resultados representam um avanço de pesquisa, mas ainda não comprovam a prontidão dos CFETs para produção comercial em larga escala.
A indústria de chips prepara-se para a transição para transistores CFET tridimensionais, que colocam transistores nFET e pFET uns sobre os outros para aumentar a densidade e o desempenho, mas o seu sucesso dependerá da precisão das interconexões e do controlo de defeitos e do empenamento. Intel, TSMC, Samsung e IBM adotam diferentes vias de fabrico, com uma dependência crescente da simulação multifísica e do fabrico virtual.