Следите за последними материалами, объяснениями и связанными технологическими историями.
imec представила два модуля для повышения технологичности изготовления транзисторов CFET: структуру заднего контакта, повысившую ток возбуждения и снизившую сопротивление доступа к нижним устройствам, а также структуру затвора на основе dipole-middle для настройки порогового напряжения в рамках подходящего теплового бюджета. Результаты являются исследовательским достижением, но пока не подтверждают готовность CFET к широкомасштабному коммерческому производству.