Copper Interconnect

Três pesquisas visam gargalos nas interconexões de chips, nos circuitos de SiC e na computação dentro da memória

Pesquisas recentes de universidades de Singapura, Japão e Coreia do Sul apresentam três tecnologias para chips: uma camada de carbono ultrafina para isolar interconexões de cobre, transistores de SiC que operam acima de 600 graus Celsius e uma estrutura isolante que melhora a confiabilidade de transistores de canais verticais usados na computação dentro da memória.