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Pesquisas recentes de universidades de Singapura, Japão e Coreia do Sul apresentam três tecnologias para chips: uma camada de carbono ultrafina para isolar interconexões de cobre, transistores de SiC que operam acima de 600 graus Celsius e uma estrutura isolante que melhora a confiabilidade de transistores de canais verticais usados na computação dentro da memória.
O gargalo energético nos data centers de inteligência artificial está migrando da capacidade dos aceleradores isoladamente para toda a cadeia de conversão de energia, desde a rede de corrente alternada de média tensão até as linhas de alimentação inferiores a um volt dentro dos chips. A arquitetura de 800VDC, juntamente com conversores de estado sólido, materiais SiC e GaN e circuitos PMIC, surge como um caminho para reduzir as etapas de conversão, as perdas térmicas e o consumo de cobre, mas impõe novos requisitos de segurança, projeto e operação.