وصلات نحاسية داخل الشرائح يستهدف البحث تقليل قيود عزلها ومنع انتقال أيونات النحاس منها.
تستعرض أبحاث حديثة من جامعات في سنغافورة واليابان وكوريا الجنوبية ثلاث تقنيات للشرائح: طبقة كربون فائقة الرقة لعزل الوصلات النحاسية، وترانزستورات SiC تعمل عند أكثر من 600 درجة مئوية، وبنية عازلة تحسن موثوقية ترانزستورات القنوات الرأسية المستخدمة في الحوسبة داخل الذاكرة.