Следите за последними материалами, объяснениями и связанными технологическими историями.
imec представила два модуля для повышения технологичности изготовления транзисторов CFET: структуру заднего контакта, повысившую ток возбуждения и снизившую сопротивление доступа к нижним устройствам, а также структуру затвора на основе dipole-middle для настройки порогового напряжения в рамках подходящего теплового бюджета. Результаты являются исследовательским достижением, но пока не подтверждают готовность CFET к широкомасштабному коммерческому производству.
Полупроводниковая отрасль готовится перейти к трёхмерным транзисторам CFET, в которых транзисторы nFET и pFET размещаются друг над другом для повышения плотности и производительности, однако успех будет зависеть от точности соединений, контроля дефектов и деформаций. Intel, TSMC, Samsung и IBM выбирают разные производственные подходы, при этом всё большее значение приобретают мультифизическое моделирование и виртуальное производство.