正在研究二维超薄半导体的生长，以及将其与超薄栅极绝缘层集成。
《Semiconductor Engineering》报告介绍了七篇研究论文，涉及二维半导体生长、超薄栅极介电层、高数值孔径 EUV 光刻、保护人工智能加速器免受位翻转攻击，以及存储器接口和集成光子学。