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《Semiconductor Engineering》报告介绍了七篇研究论文，涉及二维半导体生长、超薄栅极介电层、高数值孔径 EUV 光刻、保护人工智能加速器免受位翻转攻击，以及存储器接口和集成光子学。
新加坡、日本和韩国多所大学的最新研究介绍了三种芯片技术：用于隔离铜互连的超薄碳层、可在超过600摄氏度下工作的SiC晶体管，以及提高存内计算中所用垂直沟道晶体管可靠性的绝缘结构。