مادة شبه موصلة واسعة النطاق تُستخدم في تطبيقات التبديل عالية الكفاءة وكثافة القدرة.
تستعرض أبحاث حديثة ثلاثة مسارات لتحسين إلكترونيات القدرة والاتصالات المعتمدة على نيتريد الغاليوم: ترانزستوراً يتحمل قرابة 4 كيلوفولت، ووصلة p-GaN منخفضة المقاومة، ودمج ترانزستورات GaN داخل طبقة ماسية لتبديد الحرارة.
يتحول عنق الزجاجة في مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي من قدرات المسرّعات وحدها إلى سلسلة تحويل الطاقة كاملة، من شبكة التيار المتردد متوسطة الجهد حتى خطوط التغذية الأقل من فولت واحد داخل الشرائح. وتبرز بنية 800VDC، إلى جانب محولات الحالة الصلبة ومواد SiC وGaN ودوائر PMIC، كمسار لتقليل مراحل التحويل والفقد الحراري واستهلاك النحاس، لكنها تفرض متطلبات جديدة للسلامة والتصميم والتشغيل.