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窒化ガリウムを基盤とするパワーエレクトロニクスと通信の改善に向けた3つの道筋を、最新研究が示している。約4キロボルトに耐えるトランジスター、低抵抗のp-GaN接合、そして熱を放散するためにGaNトランジスターをダイヤモンド層に組み込む技術である。
AIデータセンターにおけるボトルネックは、アクセラレーターの処理能力だけでなく、中電圧交流電力網からチップ内部の1ボルト未満の電源ラインに至る、電力変換チェーン全体へと移行している。ソリッドステート変圧器、SiCおよびGaN材料、PMIC回路とともに、800VDCアーキテクチャは、変換段数、熱損失、銅の消費量を削減する道筋として注目されている。一方で、安全性、設計、運用に関する新たな要件も課せられる。